Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Effects of negative bias stress on trapping properties of AlGaN/GaN Schottky barrier diodes
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BSO - Titre
Effects of negative bias stress on trapping properties of AlGaN/GaN Schottky barrier diodes
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DOI
DOI
10.1016/j.mee.2017.05.022
XX
DOAI
DOAI
10.1016/j.mee.2017.05.022
XX
Identifiant WoS
WOS:000404703800037
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Accès ouvert
OA - Non
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Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
Elsevier
XX
Source
MICROELECTRONIC ENGINEERING
XX
ISSN
0167-9317
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
3 - Correcte
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INP - Institut de physique
XX
uid:/HLX5WV9J
12/10/2021 14:52:46 (latest)
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